Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES M?XIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 280 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 20 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 ?C

CARACTER?STICAS EL?CTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 210 nC

Tiempo de elevación (tr): 59 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 870 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.27 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO247