Código de marcado: G60N100BNTD

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Máxima potencia disipada (Pc), W: 180

Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1000

Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 25

Colector de Corriente Continua a 25? |Ic|, A: 60

Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.9

Temperatura máxima de unión (Tj), ?: 150

Tiempo de subida (tr), typ, nS: 320

Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 260

Paquete / Cubierta: TO264