Silicon PNP-darlington-transistor + diode

Epitaxial-Base Power Amp., 100V 12A 80W

Número de Parte: BDW94C

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES M?XIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 ?C

CARACTER?STICAS EL?CTRICAS

Producto de corriente -- ganancia ? ancho de banda (ft): 20 MHz

Ganancia de corriente contínua (hfe): 15000

Empaquetado / Estuche: TO220