Número de Parte: FQPF6N60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES M?XIMAS

Máxima disipación de potencia (Pd): 44 W

Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V

Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 3.6 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 150 ?C

CARACTER?STICAS EL?CTRICAS

Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V

Carga de la puerta (Qg): 20 nC

Tiempo de subida (tr): 70 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 95 pF

Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.5 Ohm

Paquete / Cubierta: TO-220F