Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES M?XIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 167 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 800 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 30 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 ?C

CARACTER?STICAS EL?CTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 100 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 120 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.6 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220