Número de Parte: IRF540

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES M?XIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 30 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 ?C

CARACTER?STICAS EL?CTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 72 nC

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2100 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.077 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220