Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES M?XIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 ?C

CARACTER?STICAS EL?CTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 38 nC

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1018 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.85 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220