Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES M?XIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 18 A

CARACTER?STICAS EL?CTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 44.7 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.15 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220AB